Descripción
mosfet infineon
El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon HSOF-8 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 1,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 300A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 100V. Tiene una máxima disipación de potencia de 375W. El MOSFET tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 6V y 10V respectivamente. Se ha optimizado para disminuir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• 100% de avalancha probada
• Excelente carga de compuerta x producto RDS (on) (FOM)
• Libre de halógenos
• Ideal para alta frecuencia de conmutación
• placas libres De Plomo (Pb)
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• Optimizado para la rectificación sincrónica
• reducción de capacitancia de salida de hasta el 44%
• reducción de RDS (on) de hasta el 44%
• Muy baja resistencia RDS (on)
Aplicaciones
• Adaptador
• vehículos eléctricos ligeros
• accionamientos de baja tensión
• fuentes de alimentación del servidor
• Solar
• Telecomunicaciones
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 300 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | HSOF-8 |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.8V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 169 nC a 10 V |
| Longitud | 10.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Ancho | 10.58mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 2.4mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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