Descripción
La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de 600 V de Infineon ofrece una reducción del 50 % en las pérdidas de desconexión en comparación con el CoolMOS CP, lo que ofrece un nivel de rendimiento excepcional en PFC, TTF y otras topologías de conmutación difícil. El MOSFET es también una combinación perfecta para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Aplicaciones de eficiencia y TCO como hipercentros de datos y rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece CoolMOS C7. Se pueden obtener ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una PSU de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET CoolMOS C7 SJ de 600 V en un encapsulado de 4 pines TO-247 puede dar lugar a una reducción de los costes de energía de ∼10 % para la pérdida de energía de la PSU.
Mayor frecuencia de conmutación
Mejor R (on)A del mundo
Diodo de cuerpo resistente
Medida que muestra el parámetro clave para carga ligera y eficiencia de carga completa
El doble de frecuencia de conmutación reduce a la mitad el tamaño de los componentes magnéticos
Encapsulados más pequeños para el mismo R DS(on)
Se puede usar en muchas más posiciones para topologías de conmutación dura y suave
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 22 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO 247 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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