Descripción
El MOSFET Infineon StrongIRFET está optimizado para la más amplia disponibilidad del socio de distribución. Se trata de validación de producto de acuerdo con el estándar JEDEC. Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico.
RDS(on) muy bajo
Excelente RDS(on) de carga de puerta
Qrr optimizado
Pérdidas de conducción reducidas
Ideal para alta frecuencia de conmutación
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 316 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO 247 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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