Descripción
El MOSFET Infineon StrongIRFET tiene una resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámica mejorada, se caracteriza completamente por SOA de avalancha y capacitancia.
Capacidad de diodo de cuerpo dv/dt y di/dt mejorada
Sin plomo, conforme con RoHS
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 182 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | TO-247AC |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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