Descripción
La tecnología de silicio de MOSFET de potencia HEXFET de Infineon con encapsulado DirectFETTM avanzado para lograr la resistencia de estado activo más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de un SO-8 y solo 0,7 mm de perfil. El encapsulado DirectFET es compatible con las geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje en PCB y técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o convección. Se sigue la nota de aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.
MOSFET específicos de aplicación
Ideal para convertidor aislado de alto rendimiento
Conector hembra de interruptor primario
Optimizado para rectificación síncrona
Pérdidas de conducción bajas
Alta inmunidad Cdv/dt
Perfil bajo (<0,7 mm)
Compatible con refrigeración de doble cara
Compatible con la técnica de montaje en superficie existente
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 12 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | MG-WDSON-5 |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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