Descripción
La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de doble cara
Factor de forma compacto
Alta eficiencia
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 38 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 25 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | MG-WDSON-5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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