Descripción
La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible
Mayor densidad de potencia
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 43 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | PQFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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