Descripción
El medio puente de MOSFET de audio digital Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Consta de dos interruptores MOSFET de potencia conectados en configuración de medio puente. El último proceso se utiliza para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo del cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para optimizar los factores de rendimiento clave del amplificador de audio de clase D, como eficiencia, THD y EMI. Estos se combinan para hacer de este medio puente un dispositivo muy eficiente, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio de clase D.
RDS(on) bajo
MOSFET de canal N doble
Encapsulado de medio puente integrado
Qrr bajo
Respetuoso con el medio ambiente
Alta densidad de potencia
Diseño integrado
Ahorro de placa
EMI baja
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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