Descripción
La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
MOSFET de canal N doble
Alta densidad de potencia
Diseño integrado
Ahorro de placa
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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