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Memoria EEPROM 93LC66A/SN Microchip, 4kB, 512 x, 8bit, Serie microcable, 400ns, 8 pines SOIC

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El precio original era: 174,00 €.El precio actual es: 64,38 €.
MOSFET Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 , DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 16,80 €.El precio actual es: 8,40 €.

MOSFET Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Semiconductores Discretos Infineon de 31 A con 55 V. ✓ Libre de halógenos. ✓ Corriente de fuga inferior a 0. ✓ Tensión de ruptura garantizada.

SKU: esrs-38047 Categorías: , , Marca:

Descripción

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden ajustar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores ofrecer una eficiencia óptima del sistema.
El Infineon IRFR5305 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal P fácil de 55V V en un encapsulado D-Pak. El D-Pak está diseñado para montaje en superficie usando técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.
Tecnología de procesos Advanced
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
Sin cables

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo Valor
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenaje 31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252)
Serie IRFR5305PBF
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 65 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 110 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente 20 V
Número de Elementos por Chip 1
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Ancho 7.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 63 nC a 10 V
Longitud 6.73mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Ganancia de Potencia Típica 0
Tensión de diodo directa 1.3V
Altura 2.39mm

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IRFR5305TRLPBF

Presentación

1 paquete de 20 unidades

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