Descripción
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon de International Rectifier proporciona técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de sílice. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el dispositivo robusto diseñado por los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 49 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | TO-262 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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