Descripción
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzada
Resistencia de conexión muy baja
Conmutación rápida
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 61 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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