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MOSFET Infineon SPA20N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 , TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

MOSFET Infineon SPA20N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

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Semiconductores Discretos Infineon de 7 A con 650 V. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz. ✓ Libre de halógenos. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G.

SKU: esrs-37997 Categorías: , , Marca:

Descripción

MOSFET Infineon

El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Infineon es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 190mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 20,7A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 600V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 71W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Facilidad de uso
• Calidad CoolMOS probada en campo
• Alta eficiencia y densidad de potencia
• Alta fiabilidad
• Carga de compuerta baja (QG)
• Baja resistencia específica del estado
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• Coste excepcional para el rendimiento
• Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) a 400V uF

Aplicaciones

• Adaptador
• Alimentación de PC
• Fuentes de alimentación del servidor
• Telecomunicaciones

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V
Tipo de Encapsulado TO-220 FP
Serie CoolMOS™
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 190 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima 2.1V
Disipación de Potencia Máxima 34,5 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente 30 V
Ancho 4.85mm
Número de Elementos por Chip 1
Carga Típica de Puerta @ Vgs 87 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 10.65mm
Altura 16.15mm
Tensión de diodo directa 0
Ganancia de Potencia Típica 0
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

SPA20N60C3XKSA1

Presentación

1 paquete de 2 unidades

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