Descripción
El MOSFET de potencia de canal P de Infineon es una familia OptiMOS muy innovadora que incluye MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.
Modo de mejora
Valor nominal de avalancha
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO252-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.