Descripción
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductor’s proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications.
Voltage Controlled Small Signal Switch
High Saturation Current Capability
Rugged and Reliable
High Density Cell Design for Low RDS(ON)
Applications
Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers
Assorted Switching Applications
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 200 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 9 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
| Disipación de Potencia Máxima | 400 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.19mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 5.2mm |
| Tensión de diodo directa | 1.5V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 5.33mm |
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