Descripción
MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor
Tecnología resistente a avalanchas
Tecnología de óxido de compuerta resistente
Capacitancia de entrada inferior
Carga de puerta mejorada
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para sostener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 200 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
| Disipación de Potencia Máxima | 400 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 4.19mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 5.2mm |
| Altura | 5.33mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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