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Wurth, 10 μH 20%, SRF máxima:14MHZ, Idc:13.5A, Rdc:6.3mΩ | 74441521100 Wurth Elektronik

Wurth, 10 μH 20%, SRF máxima:14MHZ, Idc:13.5A, Rdc:6.3mΩ | 74441521100

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Wurth, 10 μH 20%, SRF máxima:13MHZ, Idc:11A, Rdc:4.8mΩ | 7.44401E+12

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Wurth, 10 μH 20%, SRF máxima:13MHZ, Idc:11A, Rdc:4.8mΩ | 7.44401E+12 Wurth Elektronik
MOSFET onsemi BSS138L, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET onsemi BSS138L, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET onsemi BSS138L, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Semiconductores Discretos BSS138L de 200 mA con 50 V. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz. ✓ Corriente de fuga inferior a 0. ✓ Conforme RoHS y REACH.

SKU: esrs-50397 Categorías: , , Marca:

Descripción

Typical applications for the BSS138L N-Channel Power MOSFET are DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
Low Threshold Voltage
Miniature SOT-23 Surface Mount Package
Ideal for Low Voltage Applications
Saves Board Space
Applications
DC-DC converters
Power Management
End Products
Computers
Printers
PCMCIA Cards
Cellular and Cordless Telephones

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente 50 V
Tipo de Encapsulado SOT-23
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 10 Ω
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima 0.85V
Disipación de Potencia Máxima 225 mW
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
Número de Elementos por Chip 1
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 3.04mm
Ancho 1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Altura 1.01mm
Estándar de automoción AEC-Q101

Información adicional

Marca

onsemi

Ref. fabricante

BSS138L

Presentación

1 paquete de 100 unidades

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