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MOSFET onsemi FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4,5 , IPAK (TO-251) de 3 pines,, config. Simple

MOSFET onsemi FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4,5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines,, config. Simple

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Semiconductores Discretos FCU900N60Z de 5 A con 600 V. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Libre de halógenos. ✓ Trazabilidad completa de lote.

SKU: esrs-52883 Categorías: , , Marca:

Descripción

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para sostener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V
Serie SuperFET II
Tipo de Encapsulado IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 900 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V
Disipación de Potencia Máxima 52 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs 13,1 nC a 10 V
Ancho 2.5mm
Número de Elementos por Chip 1
Longitud 6.8mm
Material del transistor Si
Altura 7.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Información adicional

Marca

onsemi

Ref. fabricante

FCU900N60Z

Presentación

1 tubo de 3750 unidades

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