Descripción
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, ofrecer un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para sostener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 230 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 2.92mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 1.4mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3,5 nC a 5 V |
| Altura | 0.94mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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