Descripción
El MOSFET de alimentación on Semiconductor 150V utiliza 139 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Se produce utilizando un proceso Advanced Power Trench que incorpora tecnología de puerta apantallada. Tiene el diodo de cuerpo más suave y Qrr más bajo del sector para conmutación de ruido bajo superior.
RDS(on) máx. De 5,0 m con VGS a 10V
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
100% sometido a pruebas UIL
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 139 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Serie | NTB5D0N |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,005 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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