Descripción
El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se fabrica mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 93 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 120 V |
| Serie | NTMFS006N |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 5 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.006 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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