Descripción
El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se produce mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de encendido y, al mismo tiempo, sostener un rendimiento de conmutación superior con QG y QOSS muy bajos.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 113 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | NTMFS4D2N |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 5 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.0043 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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