Descripción
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Carga de puerta ultrabaja
Baja capacitancia de salida efectiva: 316 pF
100 % a prueba de avalancha
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | NTMT190N |
| Tipo de Encapsulado | PQFN4 8 x 8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.19 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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