Descripción
El MOSFET de potencia industrial DE on Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 3,3 x 3,3 mm diseñado para diseños compactos y eficientes y mejora la pérdida de conducción.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 37,2 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | WDFN |
| Serie | NTTFS |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,022 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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