Descripción
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que aumenta la capacidad de resistencia al modo lineal y proporciona un SOA más amplio combinado con una resistencia de encendido muy baja. El MOSFET resultante garantiza el mejor equilibrio entre el modo lineal y las operaciones de conmutación.
La mejor capacidad SOA de su clase
Capacidad de sobrecarga de corriente elevada
Resistencia a la conexión extremadamente baja
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 180 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | STH200 |
| Tipo de Encapsulado | H2PAK-2 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
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