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Condensador electrolítico Nichicon serie BT, 100μF, ±20%, 100V dc, Radial, Orificio pasante, 12.5 x 20mm, paso 5mm | UBT2A101MHD8

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Interruptor seccionador, 3, Corriente 1600A, Potencia 1000kW, IP00, IP20 | 3KD5434-0RE40-0 Siemens
MOSFET Toshiba TK8S06K3L, VDSS 60 V, ID 8 , DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET Toshiba TK8S06K3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 720,00 €.El precio actual es: 136,80 €.

MOSFET Toshiba TK8S06K3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 720,00 €.El precio actual es: 136,80 €.

Semiconductores Discretos de 8 A con 60 V. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Trazabilidad completa de lote.

SKU: esrs-47900 Categorías: , , Marca:

Descripción

Automoción
Controladores para motor
Convertidores dc-dc
Reguladores de tensión de conmutación
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 43 mΩ (típ) (VGS = 10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)
Modo de mejora: Vth = 2,0 a 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 80 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 3V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 25 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs 10 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Longitud 6.5mm
Ancho 7mm
Número de Elementos por Chip 1
Estándar de automoción AEC-Q101
Altura 2.3mm
Tensión de diodo directa 1.2V

Información adicional

Marca

Toshiba

Ref. fabricante

TK8S06K3L

Presentación

1 bobina de 2000 unidades

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