Descripción
The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
Low Saturation Voltage – VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
Excellent Power Dissipation – PD = 30 W @ TC = 25°C
Excellent Safe Operating Area
Gain Specified to IC = 1.0 Amp
Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 3 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 60 V dc |
| Tipo de Encapsulado | TO-225 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 30 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 60 V dc |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 7.8 x 3 x 11.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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