Descripción
Transistores PNP de potencia, Fairchild Semiconductor
Transistores bipolares, Fairchild Semiconductor
La amplia gama de transistores de empalme bipolares (BJT) proporciona soluciones completas para diversas necesidades de aplicaciones de circuito. Los encapsulados innovadores están diseñados para tamaño mínimos, máxima fiabilidad y máximo rendimiento térmico.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | -1,5 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | -60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-126 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 12,5 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 100 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | -60 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | -5 V |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Dimensiones | 8 x 3.25 x 11mm |
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