Descripción
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current-Gain – Bandwidth Product
Annular Construction for Low Leakage
These Devices are Pb-Free
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 10 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-225 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 15 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 45 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 25 V dc |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 8 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 10 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 7.8 x 3 x 11.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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