Descripción
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Transistores bipolares, Nexperia
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | -1 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | -60 V |
| Tipo de Encapsulado | UMT |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 415 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 200 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 80 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 185 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 1 x 2.2 x 1.35mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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