Descripción
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N, P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,5 A, 7,8 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 40 mΩ, 80 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,5 W |
| Configuración de transistor | Puente completo |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 3.95mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 11,4 nC a 10 V, 11,7 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 4.95mm |
| Número de Elementos por Chip | 4 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.5mm |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.