Descripción
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | min. 2mA |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -35 V |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 35V |
| Configuración de transistor | Simple |
| Configuración | Único |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 Ω |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Conteo de Pines | 3 |
| Capacidad Drenador-Fuente | 28pF |
| Capacidad Fuente-Puerta | 28pF |
| Dimensiones | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| Ancho | 4.19mm |
| Altura | 5.33mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 5.2mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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