Descripción
La memoria flash serie de Microchip dispone de una interfaz de cuatro cables compatible con SPI que permite un encapsulado de bajo número de contactos que ocupa menos espacio en la placa y, en última instancia, reduce los costes totales del sistema. Este dispositivo se ha mejorado con una tensión de funcionamiento ampliada de 2,3-3,6 V. Esta memoria flash serie está fabricada con tecnología patentada CMOS Super Flash de alto rendimiento. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. Mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Arquitectura de interfaz serie: compatible con SPI: modo 0 y modo 3
Compatibilidad con E/S de entrada/salida doble
Frecuencia de reloj de alta velocidad de hasta 40 MHz
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Retención de datos superior a 20 años
Protección de escritura de software: protección de escritura a través de bloque
Rango de temperaturas industriales de -40 °C a +85 °C
Conforme con RoHS
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
| Tipo de Interfaz | SPI |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.