Descripción
El Infineon BSC070N10NS5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de 100V V CON PEAJE. Este MOSFET está optimizado para rectificación síncrona e ideal para alta frecuencia de conmutación. Este MOSFET tiene la máxima eficiencia del sistema y reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento
100 % a prueba de avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | TDSON |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 10,2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.8V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 83 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Longitud | 5.49mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 6.35mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 30 nC a 10 V |
| Altura | 1.1mm |
| Tensión de diodo directa | 1.1V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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