Descripción
El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. La tecnología MOSFET CoolSiC aprovecha las fuertes características físicas del carburo de silicio, añadiendo características únicas que aumentan el rendimiento, la solidez y la facilidad de uso del dispositivo. El MOSFET 650V se basa en un semiconductor de zanja de última generación, optimizado para permitir que no se comprometan a conseguir las pérdidas más bajas de la aplicación y la máxima fiabilidad de funcionamiento.
Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con controladores estándar
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | CoolSiC |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,142 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5.7V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Silicio |
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