Descripción
El FET lineal OptiMOS de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado activo y el funcionamiento de la capacidad de modo lineal en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.
Alta máx. corriente de impulso
Corriente de impulso continua alta
Funcionamiento en modo lineal robusto
Pérdidas de conducción bajas
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 176 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.