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MOSFET Infineon IPB80P04P405ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 , PG-TO263-3-2

MOSFET Infineon IPB80P04P405ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, PG-TO263-3-2

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MOSFET Infineon IPB65R150CFDATMA2, VDSS 700 V, ID 22,4 A, PG-TO 263-3

El precio original era: 1.530,00 €.El precio actual es: 229,50 €.
MOSFET Infineon IPB65R150CFDATMA2, VDSS 700 V, ID 22,4 , PG-TO 263-3
MOSFET Infineon IPB80P04P407ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 , PG-TO263-3-2

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El precio original era: 6,48 €.El precio actual es: 3,24 €.

MOSFET Infineon IPB80P04P407ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, PG-TO263-3-2

El precio original era: 6,48 €.El precio actual es: 3,24 €.

Semiconductores Discretos Infineon TO263 de 80 A con 40 V. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Libre de halógenos. ✓ Conforme RoHS y REACH.

SKU: esrs-40570 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Encapsulado verde (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha

Atributo Valor
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3-2
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB80P04P407ATMA2

Presentación

1 paquete de 2 unidades

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