Descripción
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
mosfet infineon
El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon PG-TO-252-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 6,8mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 90A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 100V. Tiene una máxima disipación de potencia de 150W. El MOSFET tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 6V y 10V respectivamente. Se ha optimizado para disminuir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Productos Fáciles de planear
• Respetuosos con el medio ambiente
• Excelente carga de compuerta x producto R DS (on) (FOM)
• excelente rendimiento de conmutación
• Libre de halógenos
• densidad de potencia Más Alta
• Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación sincrónica
• Mayor eficiencia
• placas libres De Plomo (Pb)
• se requiere Menos paralelo
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• menor consumo de espacio en la placa
• Qg Y Qgd muy bajos
• el RDS más bajo del mundo (activado)
Aplicaciones
• Amplificadores de audio clase D.
• convertidores Dc-dc Aislados (sistemas de telecomunicaciones y comunicación de datos)
• Control del motor para sistemas 48V-80V (vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)
• interruptores de junta tórica y disyuntores en sistemas 48V
• rectificador sincrónico
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 90 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | OptiMOS™ 3 |
| Tipo de Encapsulado | TO-252 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12,3 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 51 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 6.73mm |
| Ancho | 7.47mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 2.41mm |
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