Descripción
El transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P de Infineon es una familia OptiMOS muy innovadora que incluye MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.
Modo de mejora
Nivel lógico
Valor nominal de avalancha
Conmutación rápida
Valor nominal Dv/dt
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 70 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO252 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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