Descripción
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede usar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una sopción de diferentes tipos de encapsulado.
La familia OptiMOS™ de 100 V ofrece soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito).
Resumen de las funciones:
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más bajo del mundo
Q g y Q gd muy bajo
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
Libre de halógenos
Ventajas:
Respetuosa con el medio ambiente
Mayor eficiencia
Máxima densidad de potencia
Requiere menos conexión en paralelo
Consumo de espacio en placa más bajo
Productos de sencillo diseño
Aplicaciones de destino:
Rectificación síncrona para SMPS ac-dc
Control de motor para sistemas de 48 V-80 V (como vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)
Convertidores dc-dc aislados (telecomunicaciones y sistemas de comunicación de datos
Interruptores OR-ing y disyuntores en sistemas de 48 V
Amplificadores de audio de clase D
Fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI)
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 35 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | OptiMOS™ 2 |
| Tipo de Encapsulado | TO-252 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 26 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 71 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Longitud | 6.73mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 23 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 7.47mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.41mm |
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