Descripción
El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO 252 DPAK dispone de RDS(on) de 280 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el encapsulado SMD líder del sector reducen el espacio en PCB y, a su vez, la factura de material del cliente. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de muy alta densidad, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia. El CoolMOS PFD7 de 600 V ofrece una eficiencia de carga completa y ligera mejorada sobre las tecnologías CoolMOS P7 y CE MOSFET, lo que da lugar a un aumento de la densidad de potencia de 1,8 W/pulg.3.
Excelente resistencia de conmutación
EMI baja
Amplia cartera de paquetes
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para adaptar el diseño
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 31 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO 252-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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