Descripción
El transistor de potencia OptiMOS T2 de Infineon es un Super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica, dos MOSFET de canal N en un encapsulado con 2 bastidores de cable aislados.
Nivel lógico de canal N doble – Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TDSON |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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