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MOSFET Infineon IPG20N06S4L11ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 , PG-TDSON

MOSFET Infineon IPG20N06S4L11ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, PG-TDSON

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MOSFET Infineon IPG20N10S4L22AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, PG-TDSON-8-10

3,56 
MOSFET Infineon IPG20N10S4L22AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 , PG-TDSON-8-10
MOSFET Infineon IPG20N06S2L35AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 , PG-TDSON-8-10

MOSFET Infineon IPG20N06S2L35AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, PG-TDSON-8-10

2,35 

MOSFET Infineon IPG20N06S2L35AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, PG-TDSON-8-10

2,35 

Semiconductores Discretos Infineon de 20 A con 55 V. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Conforme RoHS y REACH.

SKU: esrs-40548 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS de Infineon es un Super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. Conexión de bastidor de cable de fuente más grande para conectar cables y el mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.
Nivel lógico de canal N doble – Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Tipo de Encapsulado PG-TDSON-8-10
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPG20N06S2L35AATMA1

Presentación

1 paquete de 5 unidades

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