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MOSFET Infineon IPI029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 136 , PG-TDSON

MOSFET Infineon IPI029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 136 A, PG-TDSON

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MOSFET Infineon IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 , PG-TDSON

MOSFET Infineon IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 A, PG-TDSON

3,78 

MOSFET Infineon IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 A, PG-TDSON

3,78 

Semiconductores Discretos Infineon de 20 A con 60 V. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0.

SKU: esrs-40553 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. El mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha

Atributo Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V
Tipo de Encapsulado PG-TDSON
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPG20N06S4L11ATMA2

Presentación

1 paquete de 2 unidades

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