Descripción
El CFD2 CoolMOS de 650 V de Infineon es la segunda generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión líderes del mercado con diodo de cuerpo rápido integrado. Los dispositivos CFD2 son el sucesor del CFD de 600 V con eficiencia energética mejorada. El comportamiento de conmutación más suave y, por tanto, un mejor comportamiento EMI proporciona a este producto una ventaja clara en comparación con las piezas de la competencia.
Autolimitación di/dt y dv/dt
Qoss bajo
Tiempos de retardo de encendido y giro reducidos
Excelente calidad CoolMOSTM
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 700 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO 220 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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