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MOSFET Infineon IPU95R450P7AKMA1, VDSS 950 V, ID 14 , PG-TO251-3-U04

MOSFET Infineon IPU95R450P7AKMA1, VDSS 950 V, ID 14 A, PG-TO251-3-U04

El precio original era: 170,25 €.El precio actual es: 62,99 €.
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MOSFET Infineon IPP65R190CFDXKSA2, VDSS 700 V, ID 17,5 A, PG-TO 220

El precio original era: 61,50 €.El precio actual es: 27,68 €.
MOSFET Infineon IPP65R190CFDXKSA2, VDSS 700 V, ID 17,5 , PG-TO 220
MOSFET Infineon IPT019N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 247 , PG-HSOF-8

MOSFET Infineon IPT019N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 247 A, PG-HSOF-8

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MOSFET Infineon IPT019N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 247 A, PG-HSOF-8

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Semiconductores Discretos Infineon de 247 A con 80 V. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Trazabilidad completa de lote.

SKU: esrs-40708 Categorías: , , Marca:

Descripción

El MOSFET de potencia de canal n de 80 V OptiMOS 5 de Infineon en encapsulado TO-Leadless es ideal para altas frecuencias de conmutación. Este encapsulado está especialmente diseñado para aplicaciones de alta corriente como carretillas elevadoras, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Con una reducción de espacio del 60% en comparación con el encapsulado D2PAK de 7 contactos, TO-Cordless es la respuesta perfecta donde se necesita la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y reducción de espacio.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 247 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 80 V
Tipo de Encapsulado PG-HSOF-8
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPT019N08N5ATMA1

Presentación

1 unidad

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