Descripción
El MOSFET Infineon StrongIRFET está optimizado para la mayor disponibilidad de socios de distribución. Su mayor fiabilidad frente a piezas con valor nominal de 150 °C y validación de producto de acuerdo con el estándar JEDEC.
RDS(on) muy bajo
Pérdidas de conducción reducidas
Ideal para alta frecuencia de conmutación
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 186 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247 |
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