Descripción
Los MOSFET de potencia de Infineon utilizan procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para simplificar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Mayor robustez
Compatibilidad con varios proveedores
Nivel de cualificación estándar del sector
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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