Descripción
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente para utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicona optimizada para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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