Descripción
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden ajustar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores ofrecer una eficiencia óptima del sistema.
El Infineon IRF7424 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P fácil de 30V V en un encapsulado SO-8. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para optimizar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia.
En conformidad con RoHS
Calidad líder del sector
Configuración de contactos estándar del sector
MOSFET de canal P.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SO-8 |
| Serie | IRF7424PbF |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 22 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,5 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 75 nC a 10 V |
| Ancho | 4mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 5mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.5mm |
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